半導体用語集
イオンビームエッチング装置
英語表記：ion beam etching equipment
この方法は、従来のイオンビームエッチングが主にArなどの不活性ガスのイオンビームを利用し、イオン衝撃の物理的効果(スパッタリング)でエッチングすることに対して、化学的効果もエッチングに利用するものである。RIBEが注目される理由は、微細加工性と選択比が大きくとれることにある。イオン源にガスを流してプラズマを発生させ、そこからイオンビームをターゲットに加速し、照射する。ここまでは通常のイオビームエッチング方式と変わらない。RIBEとして利用するためには、反応性ガスをイオン源に流し、そのイオンビームをターゲットに衝突させる。ターゲットに衝突する他の粒子は、一度イオン源内でプラズマ化した反応性ガスである。
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