半導体用語集
イオン散乱過程
英語表記：ion scattering
注入されたイオンは、基板中の原子および電子との衝突を繰り返してエネルギーを失い、やがて静止する。注入されたイオンが基板原子との衝突によって単位飛距離当たりに失う平均エネルギーは核阻止能と呼ばれ、エネルギーを失うとともに運動方向も変わる。電子との衝突によるエネルギー損失は電子阻止能と呼ばれるが、電子の質量がきわめて小さいため、イオンの運動方向は変化せず、エネルギーのみを失う(図1参照)。
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