半導体用語集
エキシマレーザ露光
英語表記：excimer laser exposure
エキシマレーザを光源に用いたリソグラフィ技術。 0.3540のゲート長を用いている64MDRAM世代は水銀ランプの輝線の一つであるi線リソグラフィ技術が用いられていた。0.25～0.18μmのゲート長が用いられている256 MDRAM～1GDRAM世代はエキシマレーザの一つであるクリプトンフロライド (KrF) エキシマレーザリソグラフィ技術が使用されている。 0.13μmのデザインルールに対応した光リソグラフィ技術として、波長193nmの光を発するアルゴンフロライド (ArF) エキシマレーザを用いたリソグラフィ技術が開発中である。さらに、0.10μm以下のデザインルールに対応したフッ素(F2)レーザを用いたリソグラフィ技術の可能性が検討中である。KrFエキシマレーザリソグラフィ用の投影レンズは、合成石英のみを用いた単色レンズを、光源は半値幅で0.6pm程度に狭帯域化されたエキシマレーザを用いている。合成石英のみを用いた単色レンズを ArFエキシマレーザリソグラフィ用 の投影レンズで用いようとすると、レーザの半値幅は0.3pm程度以下が要求され実現は非常に困難である。現状のKrFエキシマレーざわで達成されているレーザの半値幅は、0.6pm程度である。0.6pmの半値幅のレーザを用いるために, 合成石英とホタル石とを組み合わせた色消しレンズが用いられている。波長157nmの光を使用する レーザリソグラフィで使用可能な硝材の開発が現在進められている。
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