半導体用語集
エクステンション
英語表記：Extension
短チャンネル効果抑制の効果的な方法として、ソース・ドレインのチャネル近傍を非常に浅く形成したエクステンション構造が0.18μm世代以降から採用されるようになった。チャネルの深い部分では、ゲート電極からの影響よりも、ドレイン電圧の影響を強く受けてパンチスルーが起こる。また、ドレイン近傍はゲート電界によって空乏層が浅くなる。これを防ぐためには、ドレインを非常に浅くする必要があるが、ドレインの全てを浅くするコンタクト抵抗が高くなるので、チャンネルに接する部分のドレインのみを浅くしている。これをExtension（張り出し部分）と呼んでいる。微細化MOSでは必須の技術となっている。
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