半導体用語集
エクストリンシックゲッタリング
英語表記：Extrinsic Gettering, External Gettering: IG
半導体基板の外部（裏面）加工によりゲッタリングサイトを形成し、ここに金属不純物をゲッタリングする能力を持たせる手段を指す。EGはBSD法、PBS法、PDG法などが一般に使用されるが、さらにレーザゲッタリング法、Arイオン注入法、フロントサイドゲッタリング法なども検討されている。また化学ゲッタリングに分類できるHClゲッタリングは清浄な酸化膜を形成するために、酸化雰囲気にHClを添加することで実施されている。
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