半導体用語集
エピタキシャルウエーハ
英語表記：epitaxial wafer
結晶基板上に結晶格子が下地の結晶基板（種結晶）と整合するように結晶薄膜（エピタキシャル薄膜）を成長させたウエーハ。バイポーラデバイスでは比較的厚い（数μmから数10μm）エピタキシャルウエーハが用いられ、MOSデバイスでは数μm以下が一般的である。エピタキシャルウェーハの優れた結晶性によるリーク電流の低減、ラッチアップや電子注入に関するデバイス設計の容易さなどのため、MOSデバイスの高集積化に伴い使用頻度が増加してきた。化合物半導体ではヘテロエピなどの疑似格子整合単結晶層あるいは格子不整合単結晶も広義の意味でエピタキシャル結晶と呼ぶ。
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