半導体用語集
エピパッド
英語表記：epitaxially -grown pad
DRAMセルにおけるセル転送トランジスタのソース･ドレイン領域と蓄積電極、およびビット線へのコンタクト形成方法の一種で、コンタクトプラグをシリコンの選択結晶成長（selective epitaxial growth）により自己整合的に形成する方法をいう。選択成長により形成したプラグ自身のことを工ピパッドと呼ぶこともある。
デザインルールの微細化が進み、セル転送トランジスタのソース･ドレイン領域のコンタクト（すなわち、蓄積電極およびビット線へのコンタクト）のサイズも縮小されてきており、これらコンタクトをどのような方法で形成するかが微細DRAMを作成するうえでの一つのネックになってきている。さらに、位置合わせ誤差がデザインルールと同程度に微細化されにくいことに起因して、微細ピッチで配置されている活性層領域やゲート電極（ワード線）に対し位置ずれすることなくコンタクトホールを形成することがしだいに困難になってきている。
エピパッド技術とはゲート（ワード線）およびゲートの側壁絶縁膜（spacer sidewall）を形成し、セル転送トランジスタのソース･ドレイン表面領域を露出させた後に、シリコンの選択結晶成長を行い、露出したソース･ドレイン領域に自己整合的にコンタクトプラグを形成するものである。さらに、コンタクトプラグ上に絶縁膜を形成し、平坦化後にビット線およぴ蓄積電極とコンタクトプラグヘのコンタクトを順次形成していく。エピパッドの形成においては、シリコンのプラグ成長において十分な選択性が選られるか、素子分離SiO₂膜への横方向成長がどの程度抑制されているのか、などが課題であり、今後さらなる検討が望まれる。
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