半導体用語集
オージェ電子分光(AES)
英語表記：Auger Electron Spectroscopy
オージェ電子分光法は，固体表面の元素の種類，分布とそれらの深さ方向の情報をえることができるため，材料開発や故障解析の分野でその利用が広がっている。一般にAESは，電子線を試料に照射し，試料表面の二次電子像観察とともにオージェ電子の観察を行う。電子線により原子の内核（たとえばK核）の電子が放出されると，その空位に高い準位（たとえばL核）の電子が遷移し，その際生じた余剰のエネルギーが特性X線（Kα）を放出させるか，もしくは原子内の別の電子をKLLオージェ電子として放出させる。
この電子の運動エネルギーEKLLは，近似的にEKLL=EK-2ELと与えられ，その運動エネルギーを分析することにより元素の種類とその化学状態を知ることができる。EK，ELは真空準位から測定したKおよびL核の結合エネルギーである。オージェ電子は，関与する準位により，LMM，MNNと名づけられる。オージェ信号は，連続的なバックグランド上に重畳しているため微分法がよく用いられる。オージェ電子の試料表面からの脱出深さは，電子の運動エネルギーと原子の種類によるが，5～20Å程度である。電子の運動エネルギーが数十eVで最小となる。
AES装置は，試料に一次電子を照射する電子照射系，試料から放出された電子のエネルギーを分析する分析器，イオン銃から構成される。電子照射系は，LaB₆,電子銃もしくは電界放射型電子銃を使い，像分解能10nm程度の二次電子像，オージェ電子像の観察が可能となっている。エネルギー分析機器は，円筒型分析器（Cylindrical Mirror Analyzer: CMA)または半球型分析器（hemi spherical analyzer)が幅広く用いられている。イオン銃は，試料表面のコンタミの除去とともに，試料の深さ方向の分析に使用される。
AESは，高い試料表面分析感度を持っため，試料の取り扱いやAES装置内での試料の汚染に十分な注意が必要である。試料室は，10⁻⁷Pa以下の超高真空が必要とされる。
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