半導体用語集
ギャップフィル
英語表記：gap fill
間隙を埋めること。集積回路製造工程においては、各種の薄膜形成技術を用いて、配線間のスペース、素子間分離用の溝、ダマシン配線用の溝などを絶縁体や金属などで埋めることを言う。集積回路の微細化が進むと埋めるべき間隙のアスペクト比（深さと幅の比）が増大し、空孔（ボイド）を生じることなく間隙を埋めることが困難になる。ボイドの発生を防いでギャップフィルを確実に行う方法としては、①表面反応律速のCVD法やメッキ法を用いて溝底や側壁を含む全ての面に等しい厚さの薄膜を堆積する、②堆積温度を上げて堆積材料の表面拡散を促進する、③基板に対して垂直な方向性を持った粒子で膜堆積を行う、④粒子をイオン化して基板面に垂直な方向に加速し、スパッタリングを行いつつ膜堆積を行う、⑤液状の材料を塗布し焼き締めて薄膜化する、⑥溝側壁に傾斜（テーパー）をつけて埋め込みを容易にする、などがある。
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