半導体用語集
クラウディング効果
英語表記：crowding effect
半導体拡散層と金属または金属シリサイドのコンタクトにおいて、金属または金属シリサイドの抵抗は拡散層の抵抗にくらべ十分に小さいため、電流はコンタクト領域を主に水平方向に流れる。したがって、コンタクト端部で電流の集中が起こるが、この現象を一般にクラウディング効果と呼ぶ。この効果を考慮したコンタクトのモデルとして、Berger、Murrman、Widmannらによって提案されたTransmission Line Model (TLM) がある。このモデルでは拡散層の厚さを無視しているが、さらに拡散層の厚さを考應したモデルとして、Bergerによって提案された
Extended TLM (ETLM) モデルが知られている。
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