半導体用語集
クラウン型セル
英語表記：crown type cell
DRAMにおけるスタック型キャパシタ構造の一種。円筒型あるいは、シリンダ型（cylinder type）セルとも呼ばれている。蓄積電極の形状が王冠 (crown）の形状に似ているのでこの名称で呼ばれている。
通常、DRAMの蓄積電極の材料はn型に高濃度に不純物がドーピングされたポリシリコンあるいは金属材料が用いられる。これら蓄積電極の形状が薄膜の円筒状になっているものをクラウン型セルという。キャパシタ絶縁膜はこの円筒状の両面に形成されるために、メモリセルの投影面積に対して実際のキャパシタ有効面積が大きくできるという特徴がある。この結果、同一の蓄積容量をえるために必要なキャパシタの高さを従来の単純スタック型セルにくらべ低くでき、セルアレー領域と周辺回路領域との段差を低減できたりチップ内の平坦化が容易であるという利点が出てくる。
クラウン型キャパシタ形成の形成プロセスは一般には以下のとおりである。COB（Capacitor
Over Bitline）構造の場合には、ビット線形成後に全面にSiO₂などの絶縁膜を形成し、DRAMのメモリセルアレー内の蓄積電極を形成する位置の絶縁膜にホール（孔）形成を行い、薄い蓄積電極を形成する。その後蓄積電極となる領域以外の絶縁膜表面上の電極を、CMPあるいはエッチバック法により除去する。さらに絶縁膜も除去しクラウン形状の蓄積電極のみを残す。その後はキャパシタ絶縁膜形成とプレート電極の形成を引き続き行い、キャパシタ構造が完成する。
また今後デザインルールの縮小とともにセル面積を微細化していく必要があるが、その時にはクラウン型の蓄積電極の厚み自身も無視できない量となってくる。蓄積電極自身の機械的強度や下地との密着性など今後検討すべき課題も多い。
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