半導体用語集
ゲート絶縁耐圧
英語表記：gate breakdown voltage
ゲート絶縁耐圧とは，MOSキャパシタのゲート酸化膜が絶縁破壊を起こす電圧のことである。一般的に酸化膜の耐圧評価にはTZDB（Time Zero Dielectric Breakdown）手法が用いられる。これは酸化膜印加電界に対する絶縁破壊数のヒストグラムもしくは累積絶縁破壊数で表わされる。耐圧の測定はゲート酸化膜に印加する電界を段階的に増加させて電流をモニタする手法などを用いる。絶縁耐圧特性は大きく三つに分けられ，耐圧の低い方からそれぞれAモード，Bモード，Cモードと呼ばれる。一般的な熱酸化膜の場合，Aモードは1MV/cm以下の低い電界で絶縁破壊するもので，これは酸化膜中のピンホールなどの短絡によるものである。Bモードは酸化膜中の欠陥（ウィークスポット）に起因するものでCモード以下の電界に幅広い分布を持つ。このモードはTDDBのBモード故障と密接な関係があり，信頼性上非常に重要である。Cモードは酸化膜の耐圧限界を表わす。Aモード，Bモードは製造プロセスやシリコン基板に強く依存するため，Cモードの占める割合の多い酸化膜が良質の酸化膜であるといえる。
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