半導体用語集
コリメートスパッタ
英語表記：collimated sputtering
コリメートスパッタは陰極ターゲットと基板の間にコリメータと呼ばれる無数の孔のあいた厚板を挿入することにより、コリメータ孔を直進できる方向の成分を持つスパッタ原子のみがコリメータを通過でき、基板に対して垂直に入射するスパッタ原子の成分を増やすものである。スパッタ装置における陰極ターゲットは面蒸発源とみなす ことができ、特定の射出角度分布を有 している。このため、直径に対して深さの比が1以上になる高アスペクト比のコンタクト孔の底には成膜され難かったが、アスペクト比の大きいコリメータを通過することで、ターゲットからスパッタされた原子が、コンタクト底部にも均一に成膜できるようになる。この技術により、微細化されたLSIのコンタクトおよびバリアメタル電極の形成が可能になった。ただしコリメータを直進通過できないスパッタ原子はすべてコリメータにトラップ されて基板上の成膜に寄与しないため、成膜速度は低下する。
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