半導体用語集
物理的気相成長
英語表記：PVD : Physical Vapor Deposi・ tion
真空蒸着やスパッタリングなどのように化学反応を用いない物理的な薄膜形成法をPVDという。基本原理は真空中で膜を形成する物質(固体)を加熱またはイオン衝撃により蒸発させると、物質は蒸発源を中心として三次元空間に均等に蒸発する点蒸発源、あるいは蒸発面に対する法線からqだけ傾いた方向に向う分子束がcos qに比例する面蒸発源近似として蒸発分布に従うガス分子となる。この物質が真空中の平均自山行程の範囲で散乱されず直進する場合、蒸発源より平均自由行程以内の距離にある基板には物質が特定の膜厚分布で成膜制御できる。平均自由行程以上離れた基板に到達する場合物質は散乱されて様々な方向成分をもつ分子東となって基板に成膜される。このPVD法には蒸着、スパッタリングの特殊な場合として分子の直進性を追求した分子線蒸着法(MBE. Molecular Beam Epitaxy)やコリメートスパッタ法、イオン化スパッタ法などが開発されている。
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