半導体用語集
コンダクタンス法
英語表記：conductance method
コンダクタンス法とは，MOSキャパシタのコンダクタンスの電圧および周波数依存性より，シリコン－酸化膜の界面準位密度を評価する方法である。界面準位を含むMOSキャパシタの等価回路は，空乏層容量Cdと界面準位に基づくアドミタンスYs（CsおよびRsからなる）の並列回路と，酸化膜容量との直列回路で表わされる。Cd，Ysを周波数に依存する容量CpおよびコンダクタンスGpに書き直すと，Cp=Cd+Cs/(1+ω²τ²)，Gp=Csω²τ/(1+ω²τ²)となる。ここで，τ=CsRsである。Gp/ωを周波数の関数として測定するとGpはωτ=1で極大値となり，ここからτが求まる。さらにGp/ωの極大値はCs/2であるのでCsが決まる。これより，界面準位密度Dit=Cs/qが求まる。なお，τは捕獲断面積に関係しており，この方法ではC-V（容量－電圧）法では求めることのできない動的なパラメータを評価することができる。
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