半導体用語集
スイッチング特性
英語表記：switching characteristic
トランジスタは，外部印加電圧条件により低抵抗状態の導通状態(on)，高抵抗状態の遮断状態(off)の二つの状態を実現することができる。このようなon-off動作によリスイッチングが可能となる。
npn型またはpnp型バイポーラトランジスタにおいて，ベース・エミッ夕間およびベース・コレクタ間に逆バイアスを印加した場合，コレクタ電流が流れず遮断状態（遮断領域）となる。逆にベース・エミッタ間およびベース・コレクタ間に順方向バイアスを印加すると，エミッタ・コレクタ間電圧に比例したコレクタ電流が流れる導通状態（飽和領域）となる。この飽和領域では，高濃度の少数キャリアがベースに蓄積されるためスイッチング時間が長くなる。導通状態として，ベース・エミッタ間に順方向バイアス，エミッタ・コレクタ間に逆バイアスを印加する活性領域を用いると，少数キャリアの蓄積が少なく，よりスイッチング時間が短くなる。
MOSトランジスタにおいてもスイッチング特性が実現できる。MOSトランジスタでは，ソース・ドレイン電圧を印加した状態で，ゲート酸化膜下に反転チャネル層を形成しないような低い電圧をゲートに印加した場合，ドレイン電流が流れず遮浙状態(off) となる。チャネル層を形成するしきい値電圧以上の電圧をゲート電極に印加した場合，ドレイン電流が流れ導通状態(on)となる。このように，ゲート電圧によりドレイン電流を制御し，スイッチング特性を実現する。
関連製品
「スイッチング特性」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「スイッチング特性」に関連する用語が存在しません。
「スイッチング特性」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
