半導体用語集

チップ上の故障メカニズム

英語表記:failure mechanism on device chips

 半導体デパイスをチップ部とパッケージ部に分けて,その故障メカニズムをみていく。最近はチップとパッケージが一体となった実装形態も増えてはいるが,基本的なところはこの分類に従がって考えればよい。ここでは,故障メカニズムという言葉は,故障メカニズムのうちの最も重要な現象という意味で用いている。
 基本的に不良の原因となるものはほとんど故障の原因ともなる。小項目には不良の原因にはならないが,故障の原因となるものを主に取り上げたが,ここでは両方を含んで概観する。
 さて,チップ上の故障メカニズムをSi基板部.ゲート酸化膜部,配線部,パシべーション部の四つの部分に分けて,それに共通なものを加えて,その主なものを列挙してみる。まず,共通なものとしてパーティクル,マスクの目合わせずれ,静電破壊,過電圧破壊があげられる。Si基板部で起きる故障のメカニズムとしては.結晶欠陥,pn接合の劣化・破壊,クラックなど
がある。ゲート酸化膜では,TDDB,イオンドリフト,ホットキャリア注入などがある。次に,配線部の故障メカニズムとしては,腐食,エレクトロマイグレーション,ストレスマイグレーション,溶断,アロイスパイク,応力によるずれ,傷,段部での断線,層間絶縁膜のリークなどがある。パッシベーション部で起きる故障のメカニズムとしては,クラック,汚染,吸湿,表面チャージ層の形成などがある。


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