半導体用語集
チップ裏面側からの解析法
英語表記：failure analysis from backside of chips
チップ上の多層配線での層数の増化，ならびに実装方法の多様化が進展する中で，それに対応した故障解析手法として，チップ裏面側からの観測が必要な場合が増えている。チップ裏面側からの観測が必要な理由は
（1）チップ内配線の多層化により，チップの表面側からは観測できない箇所が増大した。
（2）実装方法として，チップ表面側は露出できないが裏面側は露出しやすいものが増大した。
の二点があげられる。
二点とも，高密度化を目指した結果である。裏面側からの観測の手段としては，
（A）シリコン基板を透過する波長の光（約1.1µm以上）を利用する
（B）物理的に裏側から接近する
という二通りの方法が試みられている。（A）は広く実用化され，エミッション顕微鏡法やOBIRCH法で用いられているが，（B）はまだ特殊な場合の報告があるのみである。
裏面側からみつけて，表面側から物理的に接近する方法が従来は普通だったが，表面側からは効率的に物理的接近ができない場合も多く，物理的に接近できなければ，最後の原因究明までたどり着けない。最近，裏面側から接近する（B）のような方法が提案されているのはこのような理由による。裏面側から接近するためには，チップを研磨したり穴を掘ったりする。穴を掘る手段としては，FIBまたはレーザビームを用いるエッチング法がある。反応性のガスと組み合わせることで，高速のエッチングが可能である。
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