半導体用語集
テルル化亜鉛
英語表記：ZnTe
結晶構造：閃亜鉛鉱構造。格子定数：0.61037nm。バンド構造：直接遷移型。エネルギーギャップ：2.3941eV（1.6K），2.28eV（293K）。スピン軌道分裂エネルギー：0.93 eV。有効質量：伝導帯mc*/m₀=0.130（0.16），重正孔帯mhh*/m₀=0.398（0.6，1.27），軽正孔帯mlh*/m₀=0.177（0.154）。ルッティンジャパラメータ：γ₁=3.74，γ₂=1.07，γ₃=1.64。比誘電率：ε(0)=10.10（9.1），ε∞=7.28（6.7）。励起子束縛エネルギー：11.6meV。励起子-フォノン結合因子：30meV。フォノンエネルギー： LO=26.4meV，TO=22.OmeV。変形ポテンシャル：a=-6.62eV（ac=-5.83eV，av=0.79eV），b=-1.26eV。弾性定数（×10¹¹dyne/cm²）：c₁₁=7.13，c₁₂=4.07，c₄₄=3.12。熱伝導率：0.18W/cm･K。熱膨張係数：8.3×10⁻⁶/K（RT）。融点：1,293℃。
Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体はp型伝導度制御が困難な場合が多いが，ZnTeでは逆にp型伝導が容易にえられ，n型伝導が困難である。MBEにおける窒素プラズマドーピングによって～1×10²⁰cm⁻³の正孔濃度がえられている。またMOVPEにおけるAs，Pのドーピングによっても1～5×10¹⁹cm⁻³の正孔濃度がえられている。
ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe青緑半導体レーザでは，p型電極のオーミック接触を改善するためにp-ZnTeが用いられている。ただし，ZnTeはZnSeと格子不整合が大きいため，欠陥の発生しない薄膜ZnTe層とすることが信頼性の向上に重要である。またZnSeとZnTeの価電子帯には～0.7eVのバンド不連続があり，ZnTeからZnSeへ正孔を活性化するために実効的に価電子帯を連続的に接続するZnTe/ZnSe変調周期超格子が採用されている。一方，ZnTe自体も緑色発光を示すことから，ZnTeのpn接合LEDも最近研究されている。このために2インチ径，転位密度～2,000cm⁻²のZnTe基板がVGF法によって作製されている。
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