半導体用語集
ドナー消去 ドナーキラー
英語表記：donor annihilation donor killer
シリコン結晶またはウェーハを650℃前後の温度で短時間（0.5～1.5時間）熱処理後、450℃前後の温度領域を急速に冷却することにより、酸素ドナーを消去する方法。
関連製品
「ドナー消去 ドナーキラー」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「ドナー消去 ドナーキラー」に関連する用語が存在しません。
「ドナー消去 ドナーキラー」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
