半導体用語集
ドーピング（不純物添加）
英語表記：Doping
シリコンウェハに不純物を添加することにより、不純物領域を形成すること。一般的にはPRパターンをマスクとして、目的とする領域に不純物を添加してp-n接合の形成や比抵抗を変えることができる。
＊添加する物質（ドーパント）によりｐ型またはｎ型不純物領域が形成される。
・ｐ型不純物 ボロン（B）
・ｎ型不純物 砒素（As）、リン（P）
＊不純物添加方法
・イオン注入法 ・熱拡散法 ・結晶引き上げ ・エピタキシー（現在はイオン注入が多く利用される）
＊ドーパント（dopant）: 微量な添加物（不純物）
＊PR：フォトレジスト
関連製品
「ドーピング（不純物添加）」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「ドーピング（不純物添加）」に関連する用語が存在しません。
「ドーピング（不純物添加）」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
