半導体用語集
ネルソン法
英語表記：Nelson method
H. NelsonがGaAs結晶やGe結晶のエピタキシー成長に用いた方法で、液相成長法の一種であり、チッピング法（tipping法）とも呼ばれる。傾斜（tipping）することのできる成長炉を用い、傾けた溶液ボートの片側に基板結晶を、 もう一方の側に原料飽和溶液を配置する。ある所望の温度に達した後、ボートを傾斜させ溶液を基板表面に被せ、成長炉の温度を冷却していく。最初は、基板結晶表面が溶液中に少し溶け出すが、さらに冷却を続けることにより溶液から基板表面に結晶が析出してくる。ある温度まで冷却し成長を停止する時には、成長炉を逆向きに傾け溶液と基板とを切り離す。
この時に用いられる溶液としては、Ⅲ-Ⅴ族結晶の成長ではGaやInといった自己フラックスが、Geなどの成長ではIn溶液が用いられる。
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