半導体用語集
バンドギャッブナロウイング
英語表記：band gap narrowing
不純物が高濃度にドープされた半導体において不純物バンドの存在によってバンドギャッフが減少する現象をい う。不純物のドープ量が増え1018cm-3を超すと、不純物間の距離は10nm以下になる。この時不純物波動関数は相互作用によって重なり、不純物準位が広がりバンドを形成する。広が ったバンドが伝導帯あるいは価電子帯と重なると、半導体のバンドギャップを実効的に減少したようにみせることになる。半導体デバイスでは、電極近傍に形成された高濃度領域でこの現象が観測されている。
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