半導体用語集
バンプ―構造
英語表記：bamboo structure
LSIの微細金属配線などにみられる1本の結晶粒界が配線を横断した構造。結晶粒界は配線長手方向に対してほぼ垂直となる。結晶粒界が竹の節状になっていることに由来している。薄膜の平均結晶粒径よりも線幅が1桁程度小さくなると、配線におけるほとんどの結晶粒界はバンプー状となり、これをバンプー状配線と称する。バンプー状配線は、エレクトロマイグレーション平均寿命(EM MTF)が著しく長くなることが知られている。これは、原子流束発散が大きい粒界三重点がほとんどなくエレクトロマイグレーションによるボイド形成が非常に遅いためであり、またバンプー状粒界でのボイド形成過程は、主に格子拡散が支配するためと考えられている。そのためバンプー状Al配線のEM MTF は、1.0eV程度以上と大きくなることが実験的にも確認されている。ただしストレスマイグレーションに対しては、バンプー状粒界でのスリットボイド形成により断線不良が発生するため非常に弱い。
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