半導体用語集
パンチスルー耐圧
英語表記：punch-through immunity
チャネル長の短いトランジスタ（あるいは寄生MOSトランジスタ）のドレインに電圧を印加していくと、ドレイン端から伸びる空乏層がソース端の空乏層と繋がってしまう。この状態では、ドレイン電圧がソース側にまで影響を及ぼし、ゲート下にチャネルが形成されていなくてもソース・ドレイン間に電流が流れるようになる。この現象はパンチスルーと呼ばれ、この現象が起きる時のドレイン電圧をパンチスルー電圧と呼ぶ。この現象はトランジスタのサブスレッショルド特性を左右
し、トランジスタのオフリーク電流量に大きな影響を及ぼす。素子分離という観点においても、この現象は問題となる。素子分離間隔が短くなることは寄生MOSトランジスタのチャネル長が短くなることと等価なので、パンチスルー現象はショートという形で見られ、回路の誤動作を招く。パンチスルー現象を抑制し、素子間の絶縁性を向上させるためには、素子分離酸化膜（LOCOSあるいはSTI）の膜厚を厚くし、実効的なチャネル長を長くする、あるいは酸化膜下の基板の不純物濃度を濃くすることにより、ドレイン端の空乏層の伸びを抑えることが効果的である。
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