半導体用語集
パーミアブルベーストランジスタ
英語表記：Permeable Base Transistor : PBT
ショットキゲート構造の縦型電界効果型トランジスタ。1979年にMITリンカーン研究所のC. Bozlerらによって開発された。n型GaAs中に櫛状にベース金属電極が埋め込まれ、上下にエミッタ・コレクタ電極が配置された構造を持つ。金属ベーストランジスタにくらべて「孔の空いた漏れやすいべース」という意味からこの名がつけられた。構造的にはSIT（静電誘導型トランジスタ）と類似しているが、動作モードは、通常のGaAsMESFETと同じく、ゲート（あるいはベース）空乏層がn型GaAs中に延びることでコレクタ電流が変化する、いわゆる電界効果型である。コレクタ電流－電圧特性も五極管特性を示す。縦型であるメリットとして、短ゲート化が容易であり、かつ多数のチャネルが並列接続されていることから、高周波の高出力トランジスタとして研究されている。 SiでもCoSiベース電極を用いた研究なども行われている。
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