半導体用語集
フランク・リード源
英語表記：Frank-Read- source
転位の増殖中心で、以下の過程の緑り返しにより転位ループを次々に発生するものをフランクリード源という。転位の一部がすべり面の上にあり両端が固定されている時、外力が作用すると転位が張り出して固定点の周囲を回転し、新しい転位ループを1個作 り出して最初と同じ転位が残される。 この機構をフランク・リード機構と呼ぶ。シリコンウェハ熱処理時にスリップ が発生する場合には、応力集中点がフ ランクリード源となり、ここから転 位が多数発生する。これらの転位は 60°転位とらせん転位からなるが、らせん転位はウェハの裏面に抜けて60°転位が残り、表面にはスリップバンドとして段差が生じる。
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