半導体用語集
フロントサイドゲッタリング
英語表記：Front Side Gettering: FSG
近接ゲッタリング（proximity gettering）とも呼ばれ、高エネルギーでイオンを注入して素子活性層直下にゲッタリングサイトを形成する方法である。MeVオーダの高エネルギーイオン注入であれば、シリコン結晶の最表層は照射損傷を受けない。注入するイオン種としてHe、B、C、O、FおよびSiなどが用いられており、その多くはイオン注入後の熱処理によって形成される転位などの二次欠陥をゲッタリングサイトとして活用するものである。ホウ素のイオン注入の付加的な効果として、ホウ素ゲッタリングも期待されるが1019cm-3を超す高濃度が必要となる。酸素イオン注入では転位の他に酸素の析出が観察されている。結晶欠陥形成によるゲッタリングにはシリコンのイオン注入が有効である。炭素イオン注入では結晶欠陥が発生しにくい。また、Heイオン注入ではゲッタリングサイトとして空洞（cavity）が形成される。
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