半導体用語集
ブランケットCVD
英語表記：blanket Chemical Vapor Deposition
ブランケットとは毛布のことで、表面に凹凸のある基板表面上にステップカバレッジがよく、あたかも毛布を被せるがごとく薄膜を堆積させることをいう。図1を参照されたい。基板表面の種類に鈍感な熱反応条件で実現可能である。
現在ブランケットCVDで、コンタクト孔はビア孔をWで埋め込む技術が利用されている。ブランケット CVDを利用した時、完全に微細孔を埋め込めず、孔内部に空間（巣）が残ることがある。これを解決するために成長条件を最適化することが重要であった。ブランケットWを利用してコンタクト孔やビア孔を埋め込む技術が利用された背景には、仮に巣が入ったとしても、Wが高融点金属であったことから電気的な信頼性試験をクリアできたからであるといわれている。LSIウェハプロセスにとっては非常に幸運であった。しかし、これからのLSIではより低抵抗な金属で微細孔を埋め込むことが必須であり、Wに代わる低抵抗金属を埋め込む技術の開発は必須である。
なお、ブランケットCVDでWを埋め込む場合、Wは抵抗率が高いため、どうしてもウェハ表面に平行な配線層は低抵抗なAl系金属配線を利用している。そのため、孔以外の絶縁膜上に堆積したWを取り除く必要がある。エッチバックあるいはCMP（Chemical Mechanical Polishing）を利用して取り除いている。この工程を簡略化するために、選択堆積は有効な手段である。選択CVDは、場合によっては選択崩れという問題があるので、これを回避したプロセス構築は、これからのLSIプロセスで検討すべき事項である。
関連製品
「ブランケットCVD」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「ブランケットCVD」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
