半導体用語集
プラズマダメージRIE_Damage（損傷）
英語表記：Plasma Damage
RIEによる異方性エッチングが採用されてから、微細化は大きく進展した。しかしRIEはプラズマ活性種の化学的・物理的な反応を応用する為に、イオンの衝撃や帯電等による損傷がおこりやすい。この時に発生する損傷をプラズマダメージという。デバイスの特性に影響し、歩留まりや信頼性を低下させる。
＊プラズマダメージの発生原因
1.イオンがウエハに衝突し、その衝突で結晶ダメージが発生する。
2.電子やイオンによるチャージアップ（帯電）で、ゲート酸化膜が破壊する。
3.プラズマ中に発生する紫外線照射により、酸化膜にトラップが発生する。
4.イオンがチャンバ内壁や電極に衝突し重金属を弾き出しウエハに付着する。
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