半導体用語集

ポリバックシール

英語表記：PBS (Poly Back Seal)

ポリバックシール(PBS)という名称は信越半導体(株)の商標名であり、一般名称はバックサイドポリシリコンコート(BSP (Backside Polysilicon (coat))である。バックサイドポリシリコンコートは、その名称どおり、シ リコンウェハの裏面に気相成長法で多結晶シリコンあるいはアモルファスシリコンの層を成膜するものであり、商 業的にはエキストリンシックゲッタリングの手法の一つとしてBSD法に次いで広く利用されている。バックサイドポリシリコンコートの場合、ゲッタリングはLSI製造プロセスの中でポリシリコン膜の結晶粒あるいはアモルファスシリコン膜が成長あるいは結晶化する過程で、シリコンウェハとポリシリコン膜の界面や粒界に不純物を吸着することで機能する。したがって、ゲッタリングの特性はポリシリコン膜生成時の結晶粒径や配向性の影響をうけるので、これらを最適な条件になるように形成することが製造上の一つのノウハウとなる。一般的に広く用いられるBSDとバ ックサイドポリシリコンコートをくら べると,BSDがLSI製造工程の比較的早い段階でゲッタリング能力を失ってしまうのに対し、ポリシリコンコートでは比較的後の方までゲッタリング能力が維持されるという特徴がある。 また、ポリシリコンコートはBSDと違いウェハにダメージを与えたり汚染を入れてしまったりする可能性があまりないので、それ自体がLSIの性能や信頼性に悪影響を及ぼしてしまうおそれが少ない。反面、ポリシリコンコートはその製造に自己発火性のあるシラン系の危険なガスを使う成膜装置が必要であり、さらにウェハの端面や表 面側に回り込んでしまったポリシリコン膜を除去する必要があるなど、BSDにくらべてウェハ製造工程が複雑かつ高価なものになるのでコスト面では不利になる。


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