半導体用語集
マグネトロン型RIE装置
英語表記：magnetron type RIE equil)ment
反応性イオンエッチングの改良型であるマグネトロン型RIE装置の場合、電界と直交する磁界が与えられ、電子がこの磁界にとらわれ、サイクロイド運動を始める。これにより電子は中性原子・分子との衝突確率が上がり、 ガスのイオン化が非常に高まる。7.5×10-3程度の低圧力下においても、高密度なプラズマが形成される。また、磁界に電子がトラップされ、電子密度が上がることにより、高いプラズマポテンシャルがえられる。 その結果、RIE装置で述べたセルフバイアスを低く抑えることができる。 このため、イオンスパッタによる損傷を低く抑えたドライエッチングが可能となる。マグネトロンRIE装置では、電子がE×Bドリフト運動をし、これを繰り返すことによって、E×Bドリフト運動の下流側に多数の電荷電子が集まる。このことにより、プラズマ密度に偏りが生じ、場所によりセルフバイアスの電位差が生じる。この電位差により、デバイスの絶縁破膜を引き起こす問題がある。
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