半導体用語集
メタル・ゲート
英語表記：Metal Gate
MOSはMetal Oxide Semiconductorの略語であるが、プロセスの都合からゲートは金属ではなくポリシリコンが用いられるようになった。（初期のMOSではアルミニュームが使われていた。）半導体であるポリシリコンは電界が与えられると空乏層ができ、チャネルとゲート電極間のゲート容量（Cox）が減少する。MOSに流れる電流は、左式で近似され、Coxに比例する。金属は空乏層ができないので、Coxを大きくとることができる。また、最先端MOSでは、ゲート絶縁膜としてHfO2等の高誘電率膜が用いられるようになってきたが、高誘電率膜とポリシリコンの組み合わせでは閾値電圧（Vth）が制御できなくなるという問題が発生し、メタルゲートが必須となった。ゲート金属としては、現在ではTiNが主流となっている。
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