半導体用語集
メモリアルテストパターン
英語表記：memory test pattern
不良を検出するために、メモリに印加される一連のパターンで読み書きに要するパターン数はメモリのセル数Nの関数で分類される。N系テストパターン（N test pattern）は主にメモリセルのデータ系の故障検出に用いられ、MARCHINGパターンなどがある。N2系テストパターンはメモリセル間の干渉による故障の検出に用いられ、GALLOPINGパターンなどがある。N2/3系テストパターンは、N2系に比べて故障検出能力が劣るが、パターン数が比較的少ないので、大容量メモリLSIの試験を短時間で行うのに有効なテストパターン。
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