半導体用語集
レーザマーク装置
英語表記：laser marker
レーザで半導体製品にマーキングする装置。近年，半導体製品，電子部品の商標，形名，特性の表示にレーザマークの利用が増えている。レーザマークは，消えることのない，鮮明で高品質なマーキングを非接触で高速に処理でき，生産工程を容易に合理化できる。
レーザマークに用いるレーザは，波長10.6µmで発振材料にCO₂気体を使用するCO₂レーザ，波長1.06µmで発振材料にYAG結晶を使用するYAGレーザが広く用いられている。半導体パッケージ用のマーカとしては，CO₂レーザが10～20Wの低出力で刻印が可能であり，装置が小型，価格が安価ですむ。YAGレーザは，CO₂と比較すると，出力が20～80W程度であり，大型で高価となる。YAGレーザの励起は，従来はクリプトンアークランプが用いられていたが，近年はメンテナンスの容易さから，LD（Laser Diode）を用いるマー力が多い。
レーザマーク方式をマスクや走査方法から分類すると，固定マスクタイプ，拾い文字タイプ，液晶マスクタイプ，ペンタイプの四つに大別できる。液晶マスクタイプとペンタイプは，意匠コード，日付などが短時間に変更できるために，ロットトレースコード付与に適した方式である。なお，液晶マスクタイプは液晶の表示で透過パターンを変えることで，またペンタイプは二つのガルバノスキャナを用いて自由自在にレーザを振ることで描画する。初期のペンタイプは，装置が安価で小型であるという長所の反面，描画速度が遅く，印字精度も悪いという欠点があった。しかし，最近はガルバノスキャナの性能向上により，欠点が改善され，今後はペンタイプがレーザマークの主流となると考えられる。
関連製品
「レーザマーク装置」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「レーザマーク装置」に関連する用語が存在しません。
「レーザマーク装置」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
