半導体用語集
ワームホール
英語表記：worm hole
W-CVDをSi基板とのコンタクトで使用する場合に、条件によっては直径数10nmの微細な空洞が、界面からSi基板中にランダムに発生することがある。これをワームホールと呼ぶ。ワームホールの先端ではW粒子が確認されるという報告もある。ワームホールは、基本的にWF6のSi基板による還元反応の際に、下地Siが消費される現象の一種である。総括反応式は、2WF6(g)十3Si(s) → 2W (s)十3SiF4 (g)で与えられ、下地Si はSiF4ガスの形で消費されると考えられる。シリコン還元反応では、ワームホールの発生を伴う場合と、もっと広い領域でWが基板Si側に食い込む (encroachment)現象を伴う場合があるが、いずれにしてもSi基板の接合特性を劣化させる要因となるため、発生の抑制が必要である。一般に、シラン還元の反応系を使用した方が、水素遠元の反応系よりもワームホールの発生が起きにくいことが知られている。
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