半導体用語集
下地ダメージ
英語表記：underlying damage layer
エッチングプロセスにおいては、被エッチング材料の膜厚のバラツキおよびエッチング速度そのもののバラツキのため、オーバにエッチングを行う必要がある。つまり、ウェハ面内でエッチング速度の速い部分は、被エッチング材料のエッチングが終了した後、しばらく下地材料がプラズマにより照射されることとなる。この時、下地材料に物理的な衝撃による欠陥、光照射による膜中トラップ生成、不純物汚染などによるダメージが入ることがある。これを下地ダメージと呼ぶ。これらの下地ダメージはトランジスタの特性を劣化させるため、この下地ダメージ層はエッチング後に除去するか、もともとダメージのない工ッチングが求められている。下地ダメージ層除去にはシリコン基板表面をわすかに酸化してフッ酸などで除去する犧牲酸化が一般的であった。しかし、最近ではMOSトランジスタの拡散層が薄くなってきたため犠牲酸化をせす、中性のラジカルを主体としたケミカルドライエッチング(CDE)などを用いてダメージ層を除去する方法が取られるようになってきた。
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