半導体用語集
不純物濃度依存酸化
英語表記：impurity density dependence oxidation
たとえば800℃で60分湿式酸化すると、不純物濃度1015と1021cm-3の Si上にはそれぞれ約30nmと200nm の厚さの酸化膜が形成される。酸化膜厚は不純物濃度領域に自己整合している。この不純物濃度依存酸化の場合、温度が低いほど、時間が短いほど、 酸化膜厚比は拡大する。
これを利用すれば、濃度の高い部分に酸化膜を残存させたりすることができる。 かつてDRAM製品で、薄いSi 基板上のゲート酸化膜と、p (リン) を十分添加した多結晶Siの厚い層間絶縁膜を同時に形成した例が報告されている。
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