半導体用語集
中性プラズマ粒子エッチング
英語表記：
LSI の微細化が進むとプラズマエッチングでのダメージが大きな問題となってきた。中性化電極スリットを通った中性ラジカルでエッチングを行うと、ほとんどダメージが入らないので、有効なエッチング方法として使用されている。中性プラズマ粒子エッチングは、東北大学・寒川誠二氏の発案によるものである。LSI以外にも、微細なナノドットの製作などにも有効である。
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