半導体用語集
二次イオン質量分析法 SIMS
英語表記：secondary ion mass spectroscopy
数KeV～の範囲のエネルギーをもつ一次イオンで試料表面の微少点を衝撃し、表面物質をスパッタイオン化し、質量分析器で分析する方法。IMMAと原理は同じであるが、通常は四重極型の質量分析器を用いる簡易タイプをさすことが多い。
関連製品
「二次イオン質量分析法 SIMS」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「二次イオン質量分析法 SIMS」に関連する用語が存在しません。
「二次イオン質量分析法 SIMS」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
