半導体用語集
二重ルツボ法
英語表記：double crucible method
二重るつぼ法は、壁に穴を設けた内るつぼと融液全体を保持する外るつぼの二重構造のるつぼから単結晶を引き上げる方法である。連続チャージ法と異なる点は、外るつぼには初期チャージ以外には原料の補給は行わず、バッチ引き上げとなる。本引き上げ法の目的は、結晶成長軸方向のドーパント濃度の均一化である。内るつぼに設けられた穴を通じて、外るつぼからシリコン融液が供給されることで、内るつぼ内の偏析現象によって生じる融液中のドーパント濃度上昇を制御し、濃度の均一化を図る。
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