半導体用語集
低温焼結基板
英語表記：low temperature fired ceramics
セラミック基板の中で，焼結温度が1,000℃以下（900℃前後）で焼結された基板を低温焼結基板あるいは低温焼成基板という。低温焼結基板は大別すると，ガラスセラミック複合系，結晶化ガラス系，単層セラミック系に分けられる。ガラスセラミック複合系は，アルミナ（Al₂O₃）やコーディエライト（2MgO•2Al₂O₃•5SiO₂）にホウケイ酸ガラスを加えで焼結し，低温焼結基板として最も一般的である。結晶化ガラス系は，低熱膨張，低誘電率であるコーディエライトを主成分としたものである。単層セラミック系は，ホウ酸スズバリウムセラミック（BaSn(BO₃)₂)やホウ酸ジルコンバリウムセラミック（BaZr(BO₃)₂)などがある。
ガラスセラミック複合系は，ガラスにアルミナあるいは酸化物系セラミックを添加することによって，セラミック単独ではえられなかった特性，たとえば誘電率を下げたり熱膨張係数をシリコンに近づけるといった半導体基板にとって有用な特性を実現することができる。また，焼結温度が1,000℃以下と低いため，アルミナ（Al₂O₃）多層基板に使用されているW（タングステン）導体より融点が低く，導体抵抗の低いAu，Ag，Cuペーストを使用できるため，伝送損失を低く押さえることができる。また焼結温度が低いことにより，製造コストも低く押さえることができる。
欠点としては，アルミナ基板と比較して，熱伝導率と曲げ強度が低いことである。熱伝導率はアルミナの約1/4（4～7W/m·K），曲げ強度はアルミナの約2/3（200～300MPa）程度である。1991年にカメラ一体型VTR用として6層基板が使用され，現在では高速処理が要求される大型コンピュータや情報通信伝送システムなどの基板として使用されている。
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