半導体用語集
偏析誘起ゲッタリング
英語表記：segregation - induced gettering
半導体基板より金属不純物の化学ポテンシャルが低い第二の領域を形成し、ここに不純物を偏析させて素子活性領域から不純物を除去する方法である。このような機構のゲッタリング方法としてPBS法、ホウ素ゲッタリング法などがあげられる。偏析型ゲッタリングの特徴は金属不純物のゲッタリング限界が固溶限に依存しない点にあり、素子活性層の金属不純物濃度を極力低減させるための有効な方法である。緩和誘起ゲッタリングが金属不純物の過飽和を必要とすることから、現状のMOSデバイスレベルのラインの清浄度から考えれば偏析誘起ゲッタリングの方が有効と考えられる。すなわち、PBSつきIG基板に金属汚染を施してアニールすれば、汚染金属はBMDよりはPBS（裏面のポリシリコン）により多くゲッタリングされる。
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