半導体用語集
光介在単一電子トンネル
英語表記：photon assisted single electron tunneling
微小な伝導領域（ドット→量子ドット）を介して電子がトンネルする場合、過剰な電子1個が入っては出ていくという繰り返しによって電流が運ばれる単一電子トンネルが起こるが、光照射によって単一電子トンネルを支援する効果を光介在単一電子トンネルという。光介在トンネルは、トンネル障壁で隔てられた伝導領域に光（実際には赤外からマイクロ波が使われることが多い）の電場がかかる場合に、電子が光子エネルギー分だけのエネルギーを吸収または放出してトンネルする現象で、ジョセフソン接合を中心として研究が行われてきた。振動電場中におかれた量子準位が、光子エネルギーで等間隔に並んだ量子準位に分裂すること（サイドバンド構造）によって説明される。単一電子トンネルの領域でも同様の現象が観測されており、量子ドットのエネルギー準位のスペクトロスコピーとして用いられている。また、光と電子系とのコヒーレントな相互作用や、単一電子と単一光子との相関に新しい物理が期待される。たとえば、単一電子トンネルのたびに光子1個が放出されるような素子では、単一電子トンネルを周期的に駆動すること（ターンスタイル動作）によって発生する光子に規則性が現われる。
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