半導体用語集

光干渉型膜厚測定法

英語表記：PITM: Photo Interferometry for Film Thickness Measure­ment

　光の干渉を利用した薄膜の膜厚測定法の一つである。膜に光が入射すると，膜厚があまり厚くない時や膜が光の透明体の時は，膜の上面と下面の両方で反射光が発生する。下面からの反射光が上面を通って脱出する時，上面での反射光と位相が合うと干渉を起こす。入射角と屈折角と膜厚により，上面での反射と下面での反射に行路差が生じるが，この行路差と波長が整数倍の関係になる時に位相が合うことになる。実際には光は横波であり，入射面の法線と入射方向が作る面に乎行な成分とそれに垂直な成分に分けて考えることになる。また，下面からの反射は膜による吸収を受けているので回折強度が見掛け上変化する。膜内での多重反射後，上面から脱出してくる光に対しても同様の干渉と吸収が生じる。既知の屈折率．既知の波長において，入射角・反射角（回折角）・反射強度（回折強度）を測定することにより膜厚が計算される。比較的シンプルな計測システムでの膜厚測定法である。多層膜の場合にも複数の入射角・検出角測定などにより可能である。半導体製造プロセスにおいて成膜後の膜厚検査に用いている。


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