半導体用語集
光干渉膜厚測定
英語表記：interferrometry thickness measurement
薄膜からの反射光、透過光の干渉現象を用いて薄膜の厚み及び光学定数を計測する方法。計測薄膜の厚みより、コヒーレンス（指向性）長の大きな光を照射し、薄膜の界面からの多重反射の干渉によって生ずる光強度の変調情報を用いて膜厚等を算出する。分光反射率、透過率（光強度信号の波長依存）を利用する方法、光強度信号の角度依存を利用する方法などが装置化されている。エリプソメータ（偏光解析）も、膜厚算出にあたって干渉を利用し、広い意味でこれに含まれる。多層膜計測の場合もFFT（高速フーリエ変換）などの適当な信号処理することで分離計測が可能となっている。使用光は、可視域のレーザ、白色光が多いが、原理的に短波長ほど高精度が期待でき、紫外光使用の装置も増えている。原則的に使用波長光を吸収する膜の計測は制限される。半導体製造の分野では、各種誘電膜の計測に多く用いられ、CMPにおいても、評価、工程管理に広く使われている。
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