半導体用語集
光弾性応力解析法
英語表記：photoelastic stress-strain analysis method
諸種のポリマなどの等質等方性体で製作したモデルに荷重を作用させ応力を生じさせると、一時的に異方性を示し、光学的には複屈折を生じる。この効果を用いて、物体内部に生じる応力を解析する方法。この方法の特長は弾性理論の適用が難しい複雑な形の物性についてその表面、内部にわたっての応力分布が分かり、特に高い応力集中の位置と値がわかることである。シリコン、Ⅲ-V化合物結晶では直接定量化されている。
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