半導体用語集
共鳴トンネルトランジスタ
英語表記：resonance tunnel transistor
共鳴トンネル効果が観測される共嗚トンネルバリアが組み込まれた三端子素子。共鳴トンネルバリアをホットエレクトロンの注入源とした、ホットエレクトロントランジスタ、（共嗚トンネリングホットエレクトロントランジスタ -RHET）が代表的。1985年に富士通の横山により発明された。共鳴卜ンネル効果が起きる電圧信号が入力された時にのみ、ホットエレクトロンがベースに注入され、トランジスタがオン状態となる。通常のトランジスタよりも機能性が高く、数少ないトランジスタで高機能の集積回路が構成できる利点がある。共鳴トンネルバリアをヘテロ接合バイポーラトランジスタHBTのベースやエミッタ部分に組み込んだ共鳴トンネルトランジスタも開発されている。
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