半導体用語集
分子量分散
英語表記：molecular weight dispersion
分子量分布ともいう。一般に高分子は様々の分子量を含んでおり、その分子量は平均分子量というかたちで表わされる。一般に測定される平均分子量はモル分率を用いて表わされる数平均分子量(Mn)あるいは重量分率を用いる重量平均分子量(Mw)であり、分子量分散は通常、Mｗ/Mｎなで表わされる。分子量分散は高分子合成の際の分子過程の結果を表わしており、一定の条件で行うと一定の分布関数で規定することができる。このため、重合条件によりえられる分子量分散は異なっており、一例をあげれば、開始、生長、停止、連鎖移動の四つの素反応からなるラジカル重合の場合は分子量分散は約2、アニオン重合にみられる停止反応がないリビング重合では単分散(分子量分散1)に近いものが生成する。分子量分散の測定は、現在ではゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ (GPC)により容易に測定可能である。GPCは多孔性のゲル粒子を充填したカラムを用いて、溶液中の溶質分子を大きさの順に展開する一種の液体クロマトグラフィである。分子量分散は溶解性,機械的性質などの物性に影響を及ぼしている。g線、i線レジスト用樹脂であるノボラック樹脂はフェノールとホルマリンを酸触媒下で反応させる縮重合反応でえられ,その分子量分散は4～5程度とかなり広い。レジスト樹脂として調整される際には、分子量の異なるものや溶解性の異なるものをブレンドすることにより解像性などのレジスト性能をコントロールしている。KrFレジスト用樹脂であるポリビニルフェノール樹脂はラジカル重合による2程度の分子量分散のものが使われていたが、イオン重合によりえられる単分散に近い樹脂が解像性な どにすぐれているため、現在はイオン重合によるものが主に使われている。また, ArFレジスト樹脂としてアクリル樹脂、シクロオレフィン樹脂が検討されており、その分子量分散1.5～3程度のものが多く使われている。
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