半導体用語集
加圧酸化
英語表記：high pressure oxidation
Siの酸化機橋を表わす、Deal-Groveモデルにおいて、酸化膜厚が厚い場合の酸化速度を律則する速度定数Bは酸化種の圧力に比例するので、加圧酸化は酸化時間の短縮または酸化温度の下に利用することができる。酸化時間の短縮は、素子分離用絶縁膜のような膜厚が数100nm以上の厚い熱酸化膜で形成する場合に特に重要である。SiLSIの高集積度化、高密度化の進展につれ、Si基板中にドープした不純物の再分布をより少なくする必要があり、酸化温度の低下が必要になってきている。加圧酸化を用いると、積層欠陥が減少することも確認されている。 加圧酸化は、高圧シリンダ中にDry酵素、または水蒸気を導入して行われ、圧力は数気圧からは100気圧程度まで、温度は500～1、000℃で行われる。石英力プセル中に水とSi基板を封入することによっても、簡便な装置で加圧酸化が行われている。
関連製品
「加圧酸化」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「加圧酸化」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
